Numer produktu producenta:
IPD60N10S4L12ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Magazyn:
71745 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800829
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD60N10S4L12ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 46µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3170 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-313
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60N10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD60N10S4L12ATMA1DKR
SP000866550
IPD60N10S4L12ATMA1TR
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
IPD60N10S4L12ATMA1CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPFH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
