Numer produktu producenta:
IPD50N04S410ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD50N04S410ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Magazyn:
4918 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800930
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD50N04S410ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-313
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD50N04S4-10
IPD50N04S410ATMA1DKR
SP000711466
IPD50N04S4-10-DG
IPD50N04S410ATMA1CT
IPD50N04S410ATMA1TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB65R190CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPB80N06S2L11ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3