Numer produktu producenta:
IPD25CN10NGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD25CN10NGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
4568 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803700
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD25CN10NGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD25CN10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD25CN10NGATMA1CT
INFINFIPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1DKR
SP001127810
IPD25CN10NGATMA1TR
2156-IPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
IRF9317PBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
IRF7484PBF
MOSFET N-CH 40V 14A 8SO