Numer produktu producenta:
IPD15N06S2L64ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Magazyn:
4268 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800647
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD15N06S2L64ATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
64mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
354 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
47W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-11
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD15N06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFIPD15N06S2L64ATMA2
IPD15N06S2L64ATMA2TR
IPD15N06S2L64ATMA2CT
2156-IPD15N06S2L64ATMA2
SP001063644
IPD15N06S2L64ATMA2DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
BSS138NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSP123E6327T
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4