Numer produktu producenta:
IPD135N03LGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD135N03LGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
31780 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800484
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD135N03LGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD135
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD135N03L G
SP000796912
IPD135N03L GDKR-DG
IPD135N03L GCT-DG
IPD135N03L GDKR
IPD135N03LGATMA1DKR
IPD135N03L GCT
IPD135N03L GTR
IPD135N03LGATMA1TR
IPD135N03L GTR-DG
IPD135N03LGATMA1CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON