Numer produktu producenta:
IPD12CN10NGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD12CN10NGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
7180 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801313
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD12CN10NGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
67A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4320 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD12CN10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001127806
IPD12CN10NGATMA1CT
IPD12CN10NGATMA1-DG
IPD12CN10NGATMA1DKR
IPD12CN10NGATMA1TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
IPD60R2K1CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPD60R520CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3