Numer produktu producenta:
IPD096N08N3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD096N08N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
2500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12849342
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD096N08N3GATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
73A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2410 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD096
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001127826
IPD096N08N3GATMA1DKR
IPD096N08N3GATMA1CT
IPD096N08N3GATMA1TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDS3572
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
