Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPD053N08N3GBTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD053N08N3GBTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12801165
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD053N08N3GBTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD053N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPD053N08N3GBTMA1
Karta danych HTML
IPD053N08N3GBTMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD053N08N3 GTR-DG
IPD053N08N3 G-DG
IPD053N08N3G
IPD053N08N3GBTMA1DKR
SP000395183
IPD053N08N3 GCT-DG
IPD053N08N3 G
IPD053N08N3GBTMA1CT
IPD053N08N3 GDKR
IPD053N08N3GBTMA1TR
IPD053N08N3 GCT
IPD053N08N3 GDKR-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPD053N08N3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
15378
NUMER CZĘŚCI
IPD053N08N3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.03
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
FDD86367-F085
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
943
NUMER CZĘŚCI
FDD86367-F085-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.78
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
IPD50P04P413ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3