IPD046N08N5ATMA1
Numer produktu producenta:

IPD046N08N5ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPD046N08N5ATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Magazyn:

2400 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801290
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPD046N08N5ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 65µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3800 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD046

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
448-IPD046N08N5ATMA1CT
IPD046N08N5ATMA1-DG
SP001475652
448-IPD046N08N5ATMA1DKR
448-IPD046N08N5ATMA1TR
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
FDD86367
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
40875
NUMER CZĘŚCI
FDD86367-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.86
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPI65R190CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3

infineon-technologies

IPB065N06L G

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

infineon-technologies

BSP171PE6327

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

infineon-technologies

IPL60R180P6AUMA1

MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON