Numer produktu producenta:
IPD031N03LGBTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD031N03LGBTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Magazyn:
12804138
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD031N03LGBTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5300 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-11
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD031
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000236957
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPD031N03LGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4331
NUMER CZĘŚCI
IPD031N03LGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.51
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP45N06S409AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
IRFR120NCTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IPP80N06S2L06AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3