Numer produktu producenta:
IPD025N06NATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD025N06NATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
10441 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800940
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD025N06NATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 95µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5200 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD025
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD025N06N
IPD025N06NATMA1TR
IPD025N06NCT-DG
IPD025N06NDKR-DG
IPD025N06NATMA1CT
IPD025N06NATMA1DKR
IPD025N06NCT
IPD025N06NDKR
IPD025N06NTR
IPD025N06NTR-DG
SP000988276
IPD025N06N-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB055N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF