Numer produktu producenta:
IPC313N10N3RX1SA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPC313N10N3RX1SA2-DG
Opis:
TRENCH >=100V
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V Surface Mount Die
Magazyn:
12988995
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPC313N10N3RX1SA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 3
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
-
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Pakiet / Walizka
Die
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPC313N10N3RX1SA2TR
Pakiet Standard
4,250
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0040
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CMS3400-HF
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
IMT65R030M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
100N03A
TO-252 MOSFETS ROHS
