Numer produktu producenta:
IPBE65R099CFD7AATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPBE65R099CFD7AATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3-10
Magazyn:
12955170
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPBE65R099CFD7AATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ CFD7A
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2513 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
127W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-7-3-10
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Podstawowy numer produktu
IPBE65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR
SP002561844
2156-IPBE65R099CFD7AATMA1
448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
UF3SC065030B7S
650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
UF3C170400K3S
SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
