Numer produktu producenta:
IPB95R450PFD7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB95R450PFD7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 950 V 13.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
13001618
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB95R450PFD7ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
950 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1230 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPB95R450PFD7ATMA1TR
448-IPB95R450PFD7ATMA1CT
448-IPB95R450PFD7ATMA1DKR
SP005547014
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
G04P10HE
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
PSMN2R1-30YLEX
PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
