Numer produktu producenta:
IPB90R340C3ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB90R340C3ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
1904 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800816
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB90R340C3ATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB90R340
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB90R340C3ATMA2CT
SP002548864
IPB90R340C3ATMA2TR
IPB90R340C3ATMA2DKR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
IPC60R165CPX1SA4
MOSFET N-CH BARE DIE
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
