Numer produktu producenta:
IPB80N04S2H4-ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB80N04S2H4-ATMA2-DG
Opis:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
12967927
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB80N04S2H4-ATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFIPB80N04S2H4-ATMA2
2156-IPB80N04S2H4-ATMA2
Pakiet Standard
144
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
Not applicable
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
H5N2901LSTL-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
PMN27XPE115
NEXPERIA PMN27XPE - SMALL SIGNAL
IRFU220BTU
IRFU220 - HEXFET N-CHANNEL POWER
