Numer produktu producenta:
IPB70N04S406ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB70N04S406ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
1995 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799878
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB70N04S406ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 26µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2550 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
58W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB70N04
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IFEINFIPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1DKR
2156-IPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1TR
SP000711476
IPB70N04S4-06
IPB70N04S4-06-DG
IPB70N04S406ATMA1CT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
BSO033N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
