Numer produktu producenta:
IPB65R280E6ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB65R280E6ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
12804880
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB65R280E6ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™ E6
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB65R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000795274
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFI540NPBF
MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
IPP120N20NFDAKSA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
