Numer produktu producenta:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
1265 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800409
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB60R190C6ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ C6
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
151W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB60R190
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCB20N60FTM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2398
NUMER CZĘŚCI
FCB20N60FTM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.61
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TK20G60W,RVQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TK20G60W,RVQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB20N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
845
NUMER CZĘŚCI
STB20N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.46
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SIHB18N60E-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SIHB18N60E-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.49
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB21N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1748
NUMER CZĘŚCI
STB21N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.31
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
