Numer produktu producenta:
IPB180P04P4L02ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Szczegółowy opis:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Magazyn:
4559 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12927716
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB180P04P4L02ATMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS®-P2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 410µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
18700 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-7-3
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Podstawowy numer produktu
IPB180
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR
448-IPB180P04P4L02ATMA2TR
SP002319828
448-IPB180P04P4L02ATMA2CT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JAN2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE
FDS8817NZ
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC