Numer produktu producenta:
IPB120N04S402ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB120N04S402ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
1734 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801472
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB120N04S402ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10740 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
158W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB120N04S402ATMA1TR
SP000764726
IPB120N04S4-02-DG
IPB120N04S402ATMA1DKR
IPB120N04S402ATMA1CT
IPB120N04S4-02
IFEINFIPB120N04S402ATMA1
2156-IPB120N04S402ATMA1
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
IPN50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
IPI80N08S406AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
