Numer produktu producenta:
IPB100N04S204ATMA4
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB100N04S204ATMA4-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
990 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803594
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB100N04S204ATMA4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB100N04S204ATMA4-DG
SP001058122
IPB100N04S204ATMA4DKR
IFEINFIPB100N04S204ATMA4
IPB100N04S204ATMA4CT
2156-IPB100N04S204ATMA4
IPB100N04S204ATMA4TR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP100N08S2L07AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
IRF1404ZSTRR
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
IRFH3702TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
