Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPB065N10N3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB065N10N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12800234
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB065N10N3GATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4910 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB065
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPB065N10N3GATMA1
Karta danych HTML
IPB065N10N3GATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IFEINFIPB065N10N3GATMA1
2156-IPB065N10N3GATMA1
SP001232588
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTA180N10T
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5809
NUMER CZĘŚCI
IXTA180N10T-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.64
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTA160N10T
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTA160N10T-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.28
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN6R5-80BS,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4297
NUMER CZĘŚCI
PSMN6R5-80BS,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.95
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTA160N10T7
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTA160N10T7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.33
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
BTS110E3045ANTMA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB