IPB054N08N3GATMA1
Numer produktu producenta:

IPB054N08N3GATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPB054N08N3GATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Magazyn:

2888 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800290
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPB054N08N3GATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB054

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IPB054N08N3 GCT-DG
IPB054N08N3GATMA1CT
SP000395166
IPB054N08N3 GDKR
IPB054N08N3GATMA1TR
IPB054N08N3GATMA1DKR
IPB054N08N3 GTR-DG
IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 GDKR-DG
IPB054N08N3 G-DG
IPB054N08N3 GCT
IPB054N08N3G
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IMW120R060M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

infineon-technologies

IPD13N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPB025N10N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPD60R1K4C6

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3