Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPB031NE7N3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB031NE7N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13063991
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB031NE7N3GATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 155µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8130 pF @ 37.5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB031
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPB031NE7N3GATMA1
Karta danych HTML
IPB031NE7N3GATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB031NE7N3 GCT-ND
IPB031NE7N3 GTR-ND
IPB031NE7N3G
IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GDKR
2156-IPB031NE7N3GATMA1
INFINFIPB031NE7N3GATMA1
IPB031NE7N3GATMA1CT
IPB031NE7N3 GDKR-ND
IPB031NE7N3GATMA1TR
IPB031NE7N3 G-ND
IPB031NE7N3GATMA1DKR
IPB031NE7N3 G
SP000641730
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PSMN3R3-80BS,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
18942
NUMER CZĘŚCI
PSMN3R3-80BS,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.37
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN2R8-80BS,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
51094
NUMER CZĘŚCI
PSMN2R8-80BS,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.57
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB160N75F3
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
970
NUMER CZĘŚCI
STB160N75F3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.27
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IRF1407STRLPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3999
NUMER CZĘŚCI
IRF1407STRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.05
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDB86566-F085
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
750
NUMER CZĘŚCI
FDB86566-F085-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.76
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB65R150CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
IPA50R380CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
BUZ73E3046XK
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
IPB100N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3