Numer produktu producenta:
IPB027N10N5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB027N10N5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
2407 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12804574
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB027N10N5ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 184µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10300 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB027
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPB027N10N5ATMA1CT
INFINFIPB027N10N5ATMA1
SP001227034
2156-IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1TR
IPB027N10N5ATMA1DKR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR3706TR
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRF1407L
MOSFET N-CH 75V 100A TO262
IRFB7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB