IPB011N04NF2SATMA1
Numer produktu producenta:

IPB011N04NF2SATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPB011N04NF2SATMA1-DG

Opis:

TRENCH <= 40V
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 43A (Ta), 201A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Magazyn:

733 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12991543
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPB011N04NF2SATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
StrongIRFET™2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
43A (Ta), 201A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 249µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
315 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
15000 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB011

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SP005633182
448-IPB011N04NF2SATMA1TR
448-IPB011N04NF2SATMA1DKR
448-IPB011N04NF2SATMA1CT
Pakiet Standard
800

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPF010N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IPF012N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V