Numer produktu producenta:
IPA80R650CEXKSA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA80R650CEXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Magazyn:
459 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12804965
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
QC0n
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA80R650CEXKSA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
33W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3F
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA80R650
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
