Numer produktu producenta:
IPA80R450P7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA80R450P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Magazyn:
242 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12801521
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA80R450P7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
770 pF @ 500 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3-31
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA80R450
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001422558
IPA80R450P7XKSA1-DG
448-IPA80R450P7XKSA1
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
IPP06CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPC80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23