Numer produktu producenta:
IPA70R360P7SXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA70R360P7SXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Magazyn:
544 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851486
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA70R360P7SXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
517 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
26.4W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220 Full Pack
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA70R360
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001499698
448-IPA70R360P7SXKSA1
IPA70R360P7SXKSA1-DG
2156-IPA70R360P7SXKSA1
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
MCH6436-TL-E
MOSFET N-CH 30V 6A 6MCPH
FDMC6675BZ
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
