Numer produktu producenta:
IPA60R120P7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA60R120P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Magazyn:
188 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800353
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA60R120P7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1544 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220 Full Pack
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPA60R120P7XKSA1
IFEINFIPA60R120P7XKSA1
SP001658376
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
