IPA50R190CEXKSA2
Numer produktu producenta:

IPA50R190CEXKSA2

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPA50R190CEXKSA2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Magazyn:

735 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12804898
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPA50R190CEXKSA2 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ CE
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
13V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1137 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
32W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA50R190

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
INFINFIPA50R190CEXKSA2
SP001364312
2156-IPA50R190CEXKSA2
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IRFR4104TR

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IRF7353D1TR

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

infineon-technologies

IRF6622TRPBF

MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

infineon-technologies

IPP100N06S205AKSA1

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3