Numer produktu producenta:
IPA180N10N3GXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA180N10N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Magazyn:
12800546
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA180N10N3GXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
28A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 35µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPA1-DG80N10N3GXKSA1-DG
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-DG
IFEINFIPA180N10N3GXKSA1
SP000480108
IPA180N10N3G
2156-IPA180N10N3GXKSA1
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPP180N10N3GXKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
170
NUMER CZĘŚCI
IPP180N10N3GXKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.42
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC016N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
IPB70P04P409ATMA1
MOSFET N-CH 40V 72A D2PAK
IPC60R3K3C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
