Numer produktu producenta:
IMZA120R030M1HXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IMZA120R030M1HXKSA1-DG
Opis:
SIC DISCRETE
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 70A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U02
Magazyn:
240 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13000563
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IMZA120R030M1HXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolSiC™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V, 18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 11mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+20V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2160 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
273W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-4-U02
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP005425985
448-IMZA120R030M1HXKSA1
Pakiet Standard
240
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ISK024NE2LM5AUSA1
TRENCH <= 40V
IAUCN04S7N005ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
IRF8714TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
