Numer produktu producenta:
IMW120R090M1HXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IMW120R090M1HXKSA1-DG
Opis:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Magazyn:
344 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800732
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IMW120R090M1HXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolSiC™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V, 18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 3.7mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
707 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3-41
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IMW120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IMW120R090M1HXKSA1-448
SP001946164
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
