Numer produktu producenta:
IMT65R048M1HXUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IMT65R048M1HXUMA1-DG
Opis:
SILICON CARBIDE MOSFET
Szczegółowy opis:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Magazyn:
1976 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12994072
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IMT65R048M1HXUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolSiC™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
-
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
-
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerSFN
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IMT65R048M1HXUMA1TR
SP005716839
448-IMT65R048M1HXUMA1CT
448-IMT65R048M1HXUMA1DKR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ICE15N73FP
Superjunction MOSFET
IQE065N10NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
MSJB06N80A-TP
Interface
