Numer produktu producenta:
IGLD60R190D1AUMA3
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IGLD60R190D1AUMA3-DG
Opis:
GAN HV
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Magazyn:
2344 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12965865
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IGLD60R190D1AUMA3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolGaN™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Vgs (maks.)
-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-LSON-8-1
Pakiet / Walizka
8-LDFN Exposed Pad
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IGLD60R190D1AUMA3DKR
448-IGLD60R190D1AUMA3TR
448-IGLD60R190D1AUMA3CT
SP005557217
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IGOT60R070D1E8220AUMA1
GAN HV
IGT60R190D1ATMA1
GAN HV
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HV