Numer produktu producenta:
IAUTN12S5N017ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IAUTN12S5N017ATMA1-DG
Opis:
MOSFET_(120V 300V)
Szczegółowy opis:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Magazyn:
3185 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12991604
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IAUTN12S5N017ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
-
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-55°C ~ 175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerSFN
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IAUTN12S5N017ATMA1DKR
448-IAUTN12S5N017ATMA1CT
SP005629891
448-IAUTN12S5N017ATMA1TR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB95R310PFD7ATMA1
LOW POWER_NEW
ISZ810P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUTN06S5N008ATMA1
MOSFET_)40V 60V)