Numer produktu producenta:
FS05MR12A6MA1BBPSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
FS05MR12A6MA1BBPSA1-DG
Opis:
SIC 1200V 200A AG-HYBRIDD
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Magazyn:
12997173
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FS05MR12A6MA1BBPSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tray
Seria
HybridPACK™
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
200A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
AG-HYBRIDD-2
Podstawowy numer produktu
FS05MR12
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-FS05MR12A6MA1BBPSA1
SP005247420
Pakiet Standard
6
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MSCSM120DUM08T3AG
SIC 2N-CH 1200V 337A SP3F
MSCSM170DUM23T3AG
SIC 2N-CH 1700V 124A SP3F
PJS6602_S2_00001
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
