Numer produktu producenta:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG
Opis:
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Magazyn:
12996836
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tray
Seria
HybridPACK™
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
400A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 240mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1320nC @ 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
42500pF @ 600V
Moc - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
AG-HYBRIDD-2
Podstawowy numer produktu
FS03MR12
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SP002725554
Pakiet Standard
6
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPG20N04S409AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
PMDPB95XNE2X
MOSFET 30V
EM6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
