BUZ73H3046XKSA1
Numer produktu producenta:

BUZ73H3046XKSA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

BUZ73H3046XKSA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Magazyn:

12854725
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

BUZ73H3046XKSA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
BUZ73

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SP000683002
BUZ73 H3046
BUZ73H3046
BUZ73 H3046-DG
Pakiet Standard
500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

HAT2170H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

onsemi

NDS9430A

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC

renesas-electronics-america

RJK5013DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

onsemi

MTP3055V

MOSFET N-CH 60V 12A TO220AB