Numer produktu producenta:
BSZ150N10LS3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ150N10LS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Magazyn:
9240 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800223
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ150N10LS3GATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 33µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ150
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ150N10LS3GATMA1TR
BSZ150N10LS3GATMA1DKR
BSZ150N10LS3GATMA1CT
BSZ150N10LS3GATMA1-DG
SP001002916
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80R290C3AATMA2
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
