Numer produktu producenta:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Magazyn:
3866 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12829322
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ12DN20NS3GATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 25µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ12DN20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GCT
IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GDKR
SP000781784
BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3GTR-DG
BSZ12DN20NS3GCT-DG
BSZ12DN20NS3GDKR-DG
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSC12DN20NS3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
11979
NUMER CZĘŚCI
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.52
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PSMN2R1-40PLQ
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
BUK9Y09-40B,115
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
PMN30UNEX
MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
