Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
BSZ120P03NS3EGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ120P03NS3EGATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12850002
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ120P03NS3EGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 73µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3360 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
BSZ120P03NS3EGATMA1
Karta danych HTML
BSZ120P03NS3EGATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ120P03NS3EGATMA1TR
BSZ120P03NS3E G-DG
2156-BSZ120P03NS3EGATMA1
IFEINFBSZ120P03NS3EGATMA1
BSZ120P03NS3E G
SP000709730
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDMC6675BZ
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6050
NUMER CZĘŚCI
FDMC6675BZ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.40
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SI7121ADN-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9953
NUMER CZĘŚCI
SI7121ADN-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.18
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDMC6679AZ
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
70
NUMER CZĘŚCI
FDMC6679AZ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.49
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
BSZ120P03NS3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
19982
NUMER CZĘŚCI
BSZ120P03NS3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.26
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AO4720
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
FQU6N40CTU
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
AON7548
MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
FQP19N20CTSTU
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3