Numer produktu producenta:
BSZ110N08NS5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 40A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Magazyn:
56961 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799514
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ110N08NS5ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 22µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ110
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ110N08NS5ATMA1CT
SP001154280
BSZ110N08NS5ATMA1DKR
BSZ110N08NS5ATMA1TR
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSP318S E6327
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
BS7067N06LS3G
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
BSC030N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
