BSZ100N03LSGATMA1
Numer produktu producenta:

BSZ100N03LSGATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

BSZ100N03LSGATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

Magazyn:

4406 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12847485
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

BSZ100N03LSGATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ100

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
BSZ100N03LSG
BSZ100N03LSGATMA1TR
BSZ100N03LSGINTR
BSZ100N03LSGINTR-DG
BSZ100N03LSGINDKR-DG
BSZ100N03LSGXT
BSZ100N03LS G
BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGATMA1DKR
SP000304135
BSZ100N03LSGINCT-DG
BSZ100N03LSGATMA1CT
BSZ100N03LSGINDKR
Pakiet Standard
5,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
CSD17579Q3A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
41250
NUMER CZĘŚCI
CSD17579Q3A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.15
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
NTTFS4C13NTAG
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1349
NUMER CZĘŚCI
NTTFS4C13NTAG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.34
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD17308Q3
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
36157
NUMER CZĘŚCI
CSD17308Q3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.28
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD17579Q3AT
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5016
NUMER CZĘŚCI
CSD17579Q3AT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.44
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RQ3E120BNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2880
NUMER CZĘŚCI
RQ3E120BNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.16
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

NTB6413ANT4G

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

onsemi

FQA9N90C-F109

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

onsemi

NTD4856N-1G

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK

onsemi

FCP7N60

MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3