Numer produktu producenta:
BSZ068N06NSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ068N06NSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Magazyn:
7792 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799265
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ068N06NSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 20µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ068
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ068N06NSATMA1-DG
IFEINFBSZ068N06NSATMA1
2156-BSZ068N06NSATMA1
BSZ068N06NSATMA1CT
SP001067002
BSZ068N06NSATMA1TR
BSZ068N06NSATMA1DKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
BSP135H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4