Numer produktu producenta:
BSZ036NE2LSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ036NE2LSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Magazyn:
73837 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799597
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ036NE2LSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ036
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ036NE2LSCT-DG
BSZ036NE2LSATMA1DKR
BSZ036NE2LSDKR
BSZ036NE2LS
BSZ036NE2LSATMA1TR
BSZ036NE2LSTR-DG
BSZ036NE2LSATMA1CT
SP000854572
BSZ036NE2LSDKR-DG
BSZ036NE2LS-DG
BSZ036NE2LSCT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC034N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
MIC94050BM4 TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
BSZ0589NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
