Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
BSZ033NE2LS5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ033NE2LS5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13064033
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ033NE2LS5ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1230 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ033
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
BSZ033NE2LS5ATMA1
Karta danych HTML
BSZ033NE2LS5ATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-BSZ033NE2LS5ATMA1DKR
448-BSZ033NE2LS5ATMA1TR
448-BSZ033NE2LS5ATMA1CT
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
SP001288158
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
CSD16403Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
15044
NUMER CZĘŚCI
CSD16403Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUZ30A
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
IPB039N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
IRFB3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3