Numer produktu producenta:
BSZ019N03LSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ019N03LSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 22A (Ta). 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Magazyn:
89383 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799280
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ019N03LSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
22A (Ta). 40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2800 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ019
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ019N03LSCT-DG
BSZ019N03LSCT
SP000792362
BSZ019N03LSATMA1DKR
BSZ019N03LS-DG
BSZ019N03LSATMA1TR
BSZ019N03LSDKR-DG
BSZ019N03LSATMA1CT
BSZ019N03LSTR-DG
BSZ019N03LS
BSZ019N03LSDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BSP320SL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
